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SiC作為第三代半導體材料的代表，憑借其高禁帶寬度、高擊穿場強、高熱導率等物理特性，成為功率器件領域的技術制高點之一。中恒微作為功率半導體行業(yè)的重要推動者與實踐者，推出1200V~2000V，1.75mΩ~75mΩ全系SiC功率器件，覆蓋單管和功率模塊多種封裝，性能比肩國際一線品牌。
01
產(chǎn)品系列
分立器件
功率模塊
拓撲結構：Half-Bridge、Six-pack、Four-pack、Single、3-Level
產(chǎn)品封裝：DriveZ62、DriveZ3、Drive ED3、Drive227、DriveE3、Drive ZM1、Drive ZM2、Solar EWS、Solar EV、LightEV、LightEU
電壓范圍：1200V、1700V、2000V
電阻范圍：1.75mΩ~22mΩ
02
產(chǎn)品特點
01
高工作頻率
02
低開關損耗
03
低導通電阻
04
最高結溫175°C
05
耐高壓高溫
06
MOSFET 關斷不含拖尾電流
07
高可靠性
08
納米銀燒結
09
銅線鍵合
10
集成NTC溫度傳感器
03
應用優(yōu)勢
01
緊湊集成，減小系統(tǒng)體積和尺寸
02
降低系統(tǒng)成本
03
高轉換效率
04
應用領域
01
新能源汽車
02
風力發(fā)電、光伏和儲能
03
工業(yè)控制
04
不間斷電源(UPS)
05
感應加熱
合肥中恒微半導體有限公司
